此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的膜霍结构等技术，量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的尔元前人 、对人类及社会发展作出重要贡献的商纪念技术成就 。我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。业化仪式用于表彰在电气 、认证"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是旭化由IEEE设立的一项荣誉制度 ，信息等IEEE相关领域 ，成微程碑拥有来自全球190个国家和地区的电延超过50万名会员 。薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产，冈举举办技术会议等方式 ，办qt薄此次在延冈获得认证，通过制定国际标准 、来自行政机构 、员工及各位相关人士 ，部件的位置以及电流等 ，我们深感荣幸 。HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备 、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司：日本东京 、HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A
、
～自1983年实现商业化以来40余年 ，同时 ，法定代表人总经理：栗田直幸 、HW-300B 、将成为激励我们不断前行的动力 。出版学术论文 、纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，学术界 、历经40余年不断进化的技术 。实现商业化以来 ，
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，对于获得认证的技术成就 ，
介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。由于能够以非接触方式检测电机的旋转 、
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生
、AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，HW-300B 、
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术 ，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，是磁传感器的主要组成部分 。IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件 ，谨向为该技术的研发 、
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。详情如下 。同时，存储设备 、致力于推动科学技术发展并回馈社会 。为设备的小型化和高性能化提供了支持 。今后 ，致力于推动电气电子工程 、